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晶圓清洗：晶圓清洗是超純水使用量最大的環節之一。每一塊晶圓在多個制造步驟中都需要進行清洗，以去除表面上的顆粒物、化學殘留物和其他污染物。這些清洗步驟包括初始清洗、工藝中間清洗和最終清洗等，確保晶圓在各個工藝環節之間保持潔凈。

蝕刻后清洗：在蝕刻過程中，化學物質會選擇性地去除晶圓上的特定材料，之后的清洗步驟用超純水沖洗蝕刻殘留物，以防止任何殘余物質影響下一步工藝。

光刻膠去除：光刻工藝中，光刻膠用于掩膜和圖案轉移。在曝光和顯影之后，需要去除光刻膠，通常采用化學劑加超純水清洗，以確保表面沒有任何殘留。

化學機械拋光（CMP）后的清洗：CMP 工藝用于平整晶圓表面，使其達到納米級的平整度。拋光后，超純水用于沖洗拋光液和拋光產生的殘留物，確保表面不受污染。

冷卻和稀釋：在某些化學工藝中，超純水用于冷卻反應器或稀釋高濃度的化學溶液，防止工藝設備因高溫或高濃度化學品而受損

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